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INS2001W 是一款高性能的 100V 半橋驅(qū)動器，專門設(shè)計用于高效驅(qū)動氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）。它提供獨立的高端和低端邏輯輸入，以及用于精確控制開啟/關(guān)閉速度的分流輸出。 該驅(qū)動器具有強大的驅(qū)動能力，上拉電阻為 1Ω，下拉電阻為 0.2Ω。 內(nèi)部集成的智能引導開關(guān)（BST）可以在死區(qū)時間內(nèi)有效防止高側(cè)浮動電源 BST 電容過充，從而保護 GaN FET 的柵極，并確保兩側(cè) GaN FET 的柵極電壓保持一致。

INS2001W 具備快速的傳播延遲（典型值 14ns）和出色的延遲匹配（典型值 1ns），這使得它非常適合高頻應(yīng)用。 它支持高達 100V DC 的高壓側(cè)浮動電源操作。 為了確保系統(tǒng)的可靠性，INS2001W 內(nèi)置了多種保護功能，包括欠壓鎖定（UVLO）、過壓鎖定（OVLO）和過溫保護（OTP）。 此外，它還具有低至 35μA 的 VCC 靜態(tài)電流。 INS2001W 采用緊湊的 WLCSP 1.62mmx1.62mm 封裝。

這款驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，包括半橋和全橋轉(zhuǎn)換器、高壓同步 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及需要高頻率和高功率密度的應(yīng)用。 它也適用于 48V 直流電機驅(qū)動、大功率 D 類音頻功率放大器以及汽車領(lǐng)域的 48V/12V 雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。 INS2001W 解決了傳統(tǒng) MOSFET 驅(qū)動方案在驅(qū)動 GaN FET 時面臨的諸多挑戰(zhàn)。 英諾賽科還提供了其他 GaN 驅(qū)動器產(chǎn)品，例如單通道驅(qū)動器 INS1001DE 和半橋驅(qū)動器 INS2001FQ，以豐富氮化鎵應(yīng)用生態(tài)。 這些驅(qū)動器針對不同電壓等級的氮化鎵功率器件進行了優(yōu)化，可為數(shù)據(jù)中心、汽車電子、太陽能微逆等領(lǐng)域提供高性能解決方案。